近日,安徽大学场效应器件与柔性显示团队在光电子器件领域取得新进展,相关研究成果以“具有宽光谱响应的双模式半导体器件实现光电探测与类脑计算”为题,在材料学科顶级期刊《先进材料》上在线发表。材料科学与工程学院博士后付灿为论文第一作者,安徽大学何刚教授和合肥工业大学罗林保教授为论文共同通讯作者,安徽大学材料科学与工程学院为第一通讯单位。
高性能半导体器件能够实现多种功能,对未来先进技术的微型化和集成化挑战至关重要。然而,将双功能整合到单一器件中存在固有困难。为解决该问题,何刚教授团队构筑了一种高性能双模器件,基于超薄钝化层与PbS/Si混合异质结相结合,成功实现光电探测和类脑处理双功能模式。在模式1中,器件异质结有效分离光生电子-空穴对,展现出从紫外到近红外(265 - 1650 nm)波长的超宽光谱响应;它还能够重现256×256像素的高质量图像,在光强为8.58 μW/cm²时,Q值低至0.00437 μW/cm²。在模式2中,器件具备典型的PPC行为,能够作为类脑器件,实现对标准数字的分类,准确率为96.5%,凸显了其在时间信息处理中的有效性。该工作为双模式光电器件的构筑与发展提供了实验借鉴,将有力推动多功能器件在智能芯片应用中的多模式和集成化的快速发展。
双模式半导体器件在单像素成像和标准数字分类上的应用
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